Micron представила флеш-память G11: более 400 слоёв NAND

Коротко: Micron анонсировала новое поколение 3D NAND-памяти G11, намеренно пропустив индекс G10. Чип получит более 400 слоёв ячеек (против 276 у нынешнего G9) — рост минимум на 45%, примерно вдвое более высокую битовую плотность и интерфейс со скоростью до 5,4 Гбит/с (на 50% выше, чем у G9). Энергопотребление на передачу одного бита снижено более чем на 25%. Технология впервые для Micron использует соединение пластин wafer-on-wafer и, по словам компании, спроектирована прицельно под будущие ИИ-продукты. Массовое производство G11 начнётся во второй половине 2027 года.

Что объявила Micron

Micron официально представила флеш-память следующего поколения — G11 — на своём технологическом вебинаре в конце октября 2026 года. Информацию независимо подтвердили сразу несколько профильных изданий, включая iXBT и отраслевой ресурс Blocks & Files.

Главная неожиданность анонса — не сами характеристики, а нумерация: вместо ожидаемого G10 компания сразу переходит к G11. Президент Micron Скотт ДеБоер (Scott DeBoer) объяснил этот шаг так: «Мы вернулись назад и убедились, что эта память оптимизирована для ИИ-продуктов будущего, и намеренно сделали так, чтобы переход был именно с девятого поколения на одиннадцатое».

Характеристики G11: слои, плотность, скорость

По заявленным Micron данным, G11 опережает текущее поколение G9 по всем ключевым параметрам:

Рост плотности означает, что чипы одинакового физического размера смогут хранить примерно вдвое больше данных — это прямо влияет на итоговую ёмкость SSD при том же количестве микросхем в корпусе накопителя.

Wafer-on-wafer bonding: что это за технология

Ключевое технологическое изменение G11 — переход на wafer-on-wafer bonding: массив ячеек памяти и управляющая логика изготавливаются на отдельных кремниевых пластинах, а затем соединяются между собой, и только после этого пластина режется на отдельные чипы. Раньше логика и массив ячеек печатались на одной пластине последовательно.

Разделение производства логики и массива ячеек позволяет оптимизировать техпроцесс каждого слоя отдельно — не идти на компромисс между плотностью ячеек и скоростью управляющей логики. Это же решение уже применяют другие крупные производители NAND, так что с G11 Micron выравнивается с отраслевым стандартом по этому параметру.

Почему Micron пропустила G10

Прыжок через поколение — редкий шаг для индустрии памяти, где компании обычно придерживаются последовательной нумерации. По словам ДеБоера, решение продиктовано желанием быстрее довести до рынка память, спроектированную специально под нагрузки искусственного интеллекта, а не выпускать промежуточное поколение с компромиссными характеристиками.

На практике это означает, что Micron делает ставку на длинный цикл спроса со стороны дата-центров и ИИ-инфраструктуры: быстрее добраться до чипа с более высокой плотностью и пропускной способностью важнее, чем сохранить привычную последовательность индексов поколений.

Для чего это нужно: SSD нового класса для ИИ-нагрузок

Micron уже обозначила, в какие продукты в первую очередь пойдёт G11: компания планирует выпустить два типа ИИ-ориентированных SSD на основе нового поколения — накопители с высоким числом операций ввода-вывода в секунду (от 25 до 100 миллионов IOPS) для баз данных и инференса, и накопители с высокой пропускной способностью, размещаемые физически близко к ускорителям (GPU/NPU) для минимальной задержки. Ёмкость SSD следующего поколения на такой памяти может достигать 512 ТБ на накопитель.

Это укладывается в общий тренд последних месяцев: память и хранилище всё активнее проектируют не «вообще для компьютеров», а прицельно под локальные и дата-центровые ИИ-нагрузки — похожую логику мы уже видели у одноплатного ИИ-сервера LattePanda Sigma 2 и у платформы AMD Ryzen AI MAX 400 с объединённой памятью для языковых моделей.

Когда G11 дойдёт до потребительских SSD и цены в России

Официальных сроков появления G11 в розничных накопителях и тем более конкретных цен Micron не называла — анонс целиком адресован корпоративным заказчикам и производителям ИИ-инфраструктуры. Новые поколения NAND-памяти обычно сначала идут в серверные и корпоративные SSD, и лишь спустя 1–2 года их младшие варианты попадают в потребительские накопители. Исходя из этого цикла, массовых SSD для домашних ПК на базе G11 стоит ожидать не раньше конца 2027 — 2028 года, а конкретные розничные цены для российского рынка пока не поддаются прогнозу.

Тем, кто выбирает накопитель уже сейчас, ориентироваться на анонс G11 рано — актуальные модели на действующих поколениях NAND подробно разобраны в нашей инструкции «Как выбрать SSD в 2026 году» и рейтинге лучших внешних SSD 2026. А если задача — выбрать между сетевым хранилищем и обычным диском для бэкапов, пригодится сравнение NAS или внешний жёсткий диск.

Что дальше

До начала массового производства во второй половине 2027 года Micron, вероятно, будет постепенно раскрывать дополнительные детали — точное число слоёв, конкретные модели SSD на базе G11 и результаты независимых тестов инженерных образцов. Параллельно своих анонсов в гонке плотности NAND стоит ожидать и от других крупных производителей памяти — у индустрии традиционно принято отвечать на подобные шаги конкурентов в течение нескольких месяцев.

Частые вопросы

Читайте также

О том, как память и локальные вычисления адаптируются под ИИ-нагрузки, — в материалах «LattePanda Sigma 2: мини-ПК для локального ИИ на 180 TOPS» и «AMD Ryzen AI MAX 400: x86-чип для 300-миллиардных ИИ-моделей на ноутбуке». А если нужен накопитель уже сегодня — инструкция «Как выбрать SSD в 2026 году».